SILAN士兰微 SVF4N65F TO-220F 场效应管_深圳市波光电子有限公司

企业信息

深圳市波光电子有限公司

卖家积分： 11001分-12000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业认证

现货认证

企业档案

认证现货(500)

优势库存(1998)

普通库存(75674)

今日特价(5)

集成电路(IC)(765)

电源IC(57)

二极管(35)

三极管(34)

场效应管MOSFET(140)

>MOSFET(140)

可控硅IGBT(104)

其他未分类(5)

SILAN士兰微 SVF4N65F TO-220F 场效应管

品牌：

SILAN士兰微

型号：

SVF4N65F

封装：

TO-220F

批号：

询问

FET类型：

N沟道

漏源电压（Vdss）：

650V

漏极电流(Id)：

2.8A

漏源导通电阻(RDS On)：

2.7Ω

栅源电压(Vgs)：

±30V

栅极电荷(Qg)：

8.03

反向恢复时间：

190ns

耗散功率：

询价

产品信息

SVF4N65F 描述：

SVF4N65F/M/MJ/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

主要特点

4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

主要特点

4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力

深圳市波光电子有限公司

深圳市波光电子有限公司

认证现货(500)

优势库存(1998)

普通库存(75674)

今日特价(5)

集成电路(IC)(765)

电源IC(57)

二极管(35)

三极管(34)

场效应管MOSFET(140)

可控硅IGBT(104)

单片机(27)

电容器(1)

放大器(11)

电子测量仪器(47)

其他未分类(5)

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