相关证件: 
会员类型:
会员年限:7年
SVF7N60F 描述:
SVF7N60F 描述:
SVF7N60F 描述:
SVF7N60F/S/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
7A,600V,RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
SVF7N60F/S/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
7A,600V,RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力