相关证件：
会员类型：
会员年限：7年
马先生 
电话：15817467967
手机：15817467967
马先生
电话：13302940566
手机：13302940566
ST意法 STF26NM60N 晶体管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:20 A
Rds On-漏源导通电阻:165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:60 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:35 W
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:50 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:25 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:85 ns
典型接通延迟时间:13 ns
单位重量:330 mg
STF26NM60N 晶体管
特征
订单代码V DS R DS（开）max I D
STF26NM60N 600 V 0.165Ω20 A.
100％雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻
应用
切换应用程序
描述
该器件是一个N沟道功率MOSFET
使用第二代开发
MDmesh™技术。 这个革命的力量
MOSFET与垂直结构相关联
公司的带钢布局产生世界上的一个
的导通电阻和栅极电荷。 它是
因此适合要求的高端
效率转换器。
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:50 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:25 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:85 ns
典型接通延迟时间:13 ns
单位重量:330 mg
STF26NM60N 晶体管
询价
