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马先生 
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ST意法 STF3NK100Z MOS效应管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:1000 V
Id-连续漏极电流:2.5 A
Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:25 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:9.3 mm
长度:10.4 mm
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:32 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:7.5 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:39 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:330 mg
STF3NK100Z MOS效应管
特征
■极高的dv / dt能力
■100％雪崩测试
■门电荷化
■非常低的内在电容
■非常好的制造重复性
应用
■切换应用程序
描述
SuperMESH™系列是通过一个
ST的优化极其优化
基于条带的PowerMESH™布局。 此外
推动导通电阻显着下降，
被采取保证一个非常好dv / dt
能力为苛刻的应用程序。
这个系列补充了ST全系列的高
高压功率MOSFET。
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