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马先生 
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马先生
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ST意法 STF8NK100Z
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:1000 V
Id-连续漏极电流:6.5 A
Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:40 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:9.3 mm
长度:10.4 mm
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 值:7 S
下降时间:30 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:19 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:59 ns
典型接通延迟时间:28 ns
单位重量:330 mg
STF8NK100Z MOSFET
一般特征
■非常高的dv / dt功能
■100％的雪崩评级
■改进的ESD能力
■极低的内在电容
描述
SuperMESH™系列是通过一个
ST的优化极其优化
基于条带的PowerMESH™布局。 此外
推动导通电阻显着下降，特别
注意确保非常好的dv / dt
能力为苛刻的应用程序。
这个系列补充了ST全系列的高
包括革命性的高压MOSFET
MDmesh™产品。
应用
■高电流，开关应用
■理想的离线电源
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