相关证件：
会员类型：
会员年限：7年
马先生 
电话：15817467967
手机：15817467967
马先生
电话：13302940566
手机：13302940566
ST意法 STF25NM60ND 场效应MOS管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:21 A
Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:40 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:9.3 mm
长度:10.4 mm
系列:STB25NM60N
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:40 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:30 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:60 ns
单位重量:330 mg
STF25NM60ND 场效应MOS管
特征
■的R DS（on）*区域
快速恢复二极管器件
■100％雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
■极高的dv / dt和雪崩
功能
应用
■切换应用程序
描述
这些FDmesh™II功率MOSFET与
本征快速恢复体二极管产生
使用第二代MDmesh™
技术。 利用新的带状布局垂直
结构，这些革命性的设备功能
极低的导通电阻和优越性
开关性能。 他们是桥梁的理想选择
拓扑和ZVS相移转换器。
询价
