深圳市波光电子有限公司

ST意法 STP65NF06 晶体管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through

 Hole封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:14 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:54 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 175 C

配置:Single

Pd-功率耗散:110 W

通道模式:Enhancement

高度:9.15 mm 

长度:10.4 mm 

系列:N-channel STripFET

 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

 宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics 

正向跨导 - 值:50 S 

下降时间:16 ns 

上升时间:60 ns 

工厂包装数量:1000

 典型关闭延迟时间:40 ns

 典型接通延迟时间:15 ns 

单位重量:330 mg
STP65NF06 晶体管

一般特征

■标准水平的门驱动器

■100％雪崩测试

描述

这个功率MOSFET是的发展

意法半导体独特的“单特征尺寸”™

基于条带的过程。 所得到的晶体管

显示极低的封装密度，

抗性，坚固的雪崩特性和

因此不太关键的对准步骤a

卓越的制造再现性。

应用

■切换应用程序

专营原装：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等：

  三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列