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马先生 
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ST意法 STP4NK60Z 场效应MOS管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through
Hole封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:4 ARds
On-漏源导通电阻:2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:18.8 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:70 W
通道模式:Enhancement
高度:9.15 mm
长度:10.4 mm
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
类型:MOSFET
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
正向跨导 - 值:3 S
下降时间:16.5 ns
上升时间:9.5 ns
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:29 ns
典型接通延迟时间:12 ns
单位重量:1.438 g
STP4NK60Z 场效应MOS管
特征
•100％雪崩测试
•非常低的内在电容
•齐纳保护
应用
•切换应用程序
描述
这些器件采用N沟道齐纳保护
功率MOSFET开发使用
意法半导体的SuperMESH™技术，
通过优化ST的井实现
建立了基于条带的PowerMESH™布局。 在
除了显着减少在线客户外，
电阻，这个设备的设计是为了确保一个
别的dv / dt能力
苛刻的应用。
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