深圳市波光电子有限公司

IR  IRFB3607PBF  晶体管

数据列表IRF(B,S,SL)3607PBF;

标准包装  1,000

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 HEXFET®

IRFB3607PBF  MOS效应管

FET 类型  N 沟道

技术  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）75V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）80A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）84nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs 10V

Vgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）3070pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds50V

FET 功能 -

功率耗散（值）140W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9 毫欧 @ 46A，10V

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

英飞凌  IRFB3607PBF  MOSFET  晶体管

应用

电力系统中的高效率同步整流

SMPS

不间断电源供应

高速电源开关

硬开关和高频电路

HEXFET

优点

 改进的门，雪崩和动态

dv / dt坚固性

 充分表征电容和

雪崩SOA

 增强的体二极管dV / dt和dI / dt

能力

w ^

专营原装：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等：

  三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

  线性电路：LM、TL、NE系列

  稳压管：0.5W、1W、2W系列

  肖特基：MBR、STPS、STTH系列

  快恢复管：MUR系列

  触发管：DB3

  开关管：4148