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IRFP2907PBF TO-247 IR MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFP2907PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:8 批号: 封装:TO-247

IRFP4229PBF TO-247 IR MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFP4229PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-247

IR IRFB4310PBF TO-220 MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFB4310PBF 封装:TO-220 批号: FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:60 漏极电流(Id):40 漏源导通电阻(RDS On):30 栅源电压(Vgs):70 栅极电荷(Qg):80 反向恢复时间:20 最大耗散功率:90 配置类型:50 工作温度范围:询问 安装类型:询问 应用领域:智能家居

IR IRFP4227PBF TO-247 MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFP4227PBF 封装:TO-247 批号: FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:60 漏极电流(Id):50 漏源导通电阻(RDS On):30 栅源电压(Vgs):70 栅极电荷(Qg):80 反向恢复时间:20 最大耗散功率:90 配置类型:询问 工作温度范围:询问 安装类型:询问 应用领域:家用电器

IRFP7446PBF TO-220 IR MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFB7446PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-220

IRFB23N15DPBF TO-220 IR MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFB23N15DPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-220

IR IRFB31N20DPBF TO-220 MOS场效应管

品牌:其他 型号:IRFB31N20DPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 材料:GE-N-FET锗N沟道

IR IRFB52N15DPBF TO-220 MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFB52N15DPBF 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:SW-REG/开关电源 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

IR IRF1405PBF TO-220 晶体管MOS管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRF1405PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 是否跨境货源:否 货号:6 批号: 封装:TO-220

IR IRFB4115PBF TO-220 MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFB4115PBF 封装:TO-220 批号: FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:50 漏极电流(Id):40 漏源导通电阻(RDS On):30 栅源电压(Vgs):60 栅极电荷(Qg):70 反向恢复时间:20 最大耗散功率:80 配置类型:询问 工作温度范围:询问 安装类型:询问 应用领域:家用电器

IR IRFB4410ZPBFTO-220 MOS场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRFB4410ZPBF 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:L/功率放大 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

IR IRF540NSTRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF540NSTRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF1404STRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF1404STRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF1324S-7P TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF1324S-7P 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF3205STRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF3205STRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF5210STRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF5210STRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF530NSTRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF530NSTRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF5305STRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF5305STRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:6 批号: 封装:TO-263

IR IRFR4104TRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR4104TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-252

IR IRFR5410TRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR5410TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-252

IR IRLR3410TRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRLR3410TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-252

IR IRF4905STRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF4905STRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:6 批号: 封装:TO-263

IR IRLR2905TRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRLR2905TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IRFR5305TRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR5305TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IRLU024NPBF TO-251 MOS管场效应管

品牌:IR/国际整流器 型号:IRLU024NPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-251

IR IRLR120NTRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:IR 型号:IRLR120NTRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IRFR3910TRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR3910TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IRLR7843TRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRLR7843TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IRFR6215PBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR6215PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IRFR3709ZTRPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR3709ZTRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IRLR024NTRPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRLR024NTRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:6 批号: 封装:TO-252

IRFR3410TRPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR3410TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号:1 封装:TO-252

IRFR3806TRPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR3806TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:9 批号: 封装:TO-252

IRFR2407TRPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR2407TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IRFR5505TRPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR5505TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IRFR9210TRPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR9210TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:6 批号: 封装:TO-252

IRFR4615TRLPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFR4615TRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IRFB4321PBF TO-220 MOS场效应管

品牌:其他 型号:IRFB4321PBF 封装:TO-220 批号: FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:70 漏极电流(Id):50 漏源导通电阻(RDS On):40 栅源电压(Vgs):80 栅极电荷(Qg):90 反向恢复时间:30 最大耗散功率:100 配置类型:询问 工作温度范围:询问 安装类型:询问 应用领域:家用电器