深圳市波光电子有限公司

FSC仙童 FQA9N90C TO-3P 场效应管MOS

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQA9N90C 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:CC/恒流 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

FSC仙童 FQP10N20C TO-220 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQP10N20C 封装:TO-220 : FET类型:40 漏源电压（Vdss）:70 漏极电流(Id):50 漏源导通电阻(RDS On):30 栅源电压(Vgs):80 栅极电荷(Qg):90 反向恢复时间:20 最大耗散功率:100 配置类型:60 工作温度范围:50°C 应用领域:3C数码 导电方式:增强型

FSC仙童 FGA25N120ANTD TO-3P 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FGA25N120ANTD 封装:TO-3P : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:600V 漏极电流(Id):询问 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):询问 反向恢复时间:25 最大耗散功率:312W 配置类型:询问 工作温度范围:55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器 导电方式:增强型

FSC仙童 FGH60N60SFD TO-247 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FGH60N60SFD 封装:TO-247 : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:600V 漏极电流(Id):180A 漏源导通电阻(RDS On):120A 栅源电压(Vgs):600V 栅极电荷(Qg):198nC 反向恢复时间:455 最大耗散功率:160 配置类型:单一 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器 导电方式:增强型

FSC仙童 FQA11N90C TO-3P 场效应管MOS管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQA11N90C 封装:TO-3P : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:900V 漏极电流(Id):11A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 反向恢复时间:20 最大耗散功率:300W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器 导电方式:增强型

FSC仙童 FQPF8N60C TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQPF8N60C 封装:TO220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:600V 漏极电流(Id):7.5A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):36nC @ 10V 反向恢复时间:25 最大耗散功率:48W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:智能家居 导电方式:增强型

KA5M0365R-YDTU TO220F-4 FSC仙童 场效应管

品牌:其他 型号:KA5M0365R-YDTU 封装:TO220F-4 : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:询问 漏极电流(Id):询问 漏源导通电阻(RDS On):询问 栅源电压(Vgs):询问 栅极电荷(Qg):询问 反向恢复时间:25 最大耗散功率:询问 配置类型:单一 工作温度范围:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 应用领域:智能家居

FSC仙童 FQPF12N60NZ TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FDPF12N60NZ 封装:TO220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:600V 漏极电流(Id):12A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 反向恢复时间:35 最大耗散功率:39W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:测量仪器 导电方式:增强型

FSC仙童 FQPF13N50C TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQPF13N50C 封装:TO220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:500V 漏极电流(Id):13A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):56nC @ 10V 反向恢复时间:45 最大耗散功率:48W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器

FSC仙童 FDPF18N50 TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FDPF18N50 封装:TO220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:500V 漏极电流(Id):18A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):5V @ 250μA 栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 反向恢复时间:451.1 最大耗散功率:38.5W（Tc） 配置类型:单一 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器 导电方式:增强型

FSC仙童 FQPF10N60C TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQPF10N60C 封装:TO220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:600V 漏极电流(Id):9.5A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):57nC @ 10V 反向恢复时间:25 最大耗散功率:50W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器 导电方式:增强型

FSC仙童 FQPF6N80C TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQPF6N80C 封装:TO220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:800V 漏极电流(Id):5.5A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 反向恢复时间:28 最大耗散功率:51W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:测量仪器

FSC仙童 FDP12N50T TO-220F 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FDPF12N50T 封装:TO-220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:500V 漏极电流(Id):11.5A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 反向恢复时间:455 最大耗散功率:42W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:测量仪器

FSC仙童 FQPF9N90C TO-220 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQPF9N90C 封装:TO-220 : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:900V 漏极电流(Id):8A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):58nC @ 10V 反向恢复时间:25 最大耗散功率:68W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:智能家居

FSC仙童 FQPF7N80C TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQPF7N80C 封装:TO220F : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:800V 漏极电流(Id):6.6A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±30V 栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 反向恢复时间:28 最大耗散功率:56W（Tc） 配置类型:询问 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器

FSC仙童 FQD2N60C TO-251 MOS场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQD2N60C 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 用途:CC/恒流 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

FSC仙童 FDPF2N60C TO220F塑封 场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQPF2N60C 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:SW-REG/开关电源 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

FSC仙童 FQD1N60C TO-251 MOS场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:FQU1N60C 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:L/功率放大 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

波光电子 IRF820PBF TO-220 IR 场效应管

品牌:VISHAY 型号:IRF820PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:其他 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 : 封装:TO-220

波光电子 IR IRF840PBF TO-220 场效应管

品牌:Vishay/威世通 型号:IRF840PBF 封装:TO-220 : FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:500V 漏极电流(Id):8A（Tc） 漏源导通电阻(RDS On):10V 栅源电压(Vgs):±20V 栅极电荷(Qg):63nC @ 10V 反向恢复时间:256 最大耗散功率:125W（Tc） 配置类型:单一 工作温度范围:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 应用领域:家用电器

IR IRFS4115TRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFS4115TRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRFS4229 TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFS4229 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRFS3207ZPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFS3207ZPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF9530NSTRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF9530NSTRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 : 封装:TO-263

IR IRFS3607TRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFS3607TRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF630NSTRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF630NSTRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRF740STRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRF740STRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRFS4115-7PPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFS4115-7PPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRFZ44NSTRLPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFZ44NSTRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRFS4410ZPBF TO-263 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRFS4410ZPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 货号:1 批号: 封装:TO-263

IR IRFS4321TRLPBF TO-263 场效应管MOS管原

品牌:ST/意法 型号:IRFS4321TRLPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:5 批号: 封装:TO-263

IR IRLR3114ZPBF TO-252 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRLR3114ZPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:P-FET硅P沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IRLR2908TRPBF TO-252 IR 场效应管MOS管

品牌:ST/意法 型号:IRLR2908TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 是否跨境货源:否 货号:8 批号: 封装:TO-252

IR IHW30N1600R3 TO-247-3 MOS管场效应管

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IHW30N160R3 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 用途:D/变频换流 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

IR IHW20N120R3 TO-247-3 MOS管场效应管

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IHW20N120R3 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:HF/高频(射频)放大 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

IR IHW30N120R3 TO-247-3 MOS管场效应管

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IHW30N120R3 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 用途:HF/高频(射频)放大 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

IR IHW20N135R3 TO-247-3 MOS管场效应管

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IHW20N135R3 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:HF/高频(射频)放大 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)

IR IHW25N120R3 TO-247-3 MOS管场效应管

品牌:INFINEON/英飞凌 型号:IHW25N120R3 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:HF/高频(射频)放大 供货方式:仅订货 种类:绝缘栅(MOSFET)