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产品信息
IR英飞凌 IHW20N120R3 IGBT 晶体管
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 晶体管
技术:Si
封装 / 箱体:TO-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:1.48 V
栅极/发射极电压:+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流:40 A
Pd-功率耗散:310 W
工作温度:- 40 C
工作温度:+ 175 C
系列:RC
封装:Tube
商标:Infineon Technologies
集电极连续电流:40 A
栅极—射极漏泄电流:100 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:240
子类别:IGBTs
商标名:TRENCHSTOP
零件号别名:IHW20N120R3FKSA1 IHW2N12R3XK SP
单位重量:6.056 g
IHW20N120R3 IGBT 晶体管
Features:
•Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage
designedforsoftcommutationonly
•TRENCHSTOPTMtechnologyapplicationsoffers:
-verytightparameterdistribution
-highruggedness,temperaturestablebehavior
-lowVCEsat
-easyparallelswitchingcapabilityduetopositive
temperaturecoefficientinVCEsat
•LowEMI
•QualifiedaccordingtoJESD-022fortargetapplications
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels:
Applications:
•Inductivecooking
•Inverterizedmicrowaveovens
•Resonantconverters
•Softswitchingapplications
IGBT 晶体管