深圳市波光电子有限公司

IR英飞凌 IRF3710PBF 场效应管

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:57 A

Rds On-漏源导通电阻:23 m

OhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:86.7 nC

配置:SinglePd-功率耗散:200 W

封装:Tube高度:15.65 mm 

长度:10 mm 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon Technologies

 产品类型:MOSFET 

工厂包装数量:1000

 子类别:MOSFETs 

零件号别名:SP

 单位重量:6 g

IRF3710PBF 场效应管

描述

International Rectifier的先进HEXFET®功率MOSFET利用

先进的处理技术实现极低的导通电阻

每硅面积。 这个好处，加上快速的开关速度和

HEXFET功率MOSFET众所周知的坚固耐用的器件设计

为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备

用于各种各样的应用中。

TO-220封装广泛适用于所有商业工业

应用功耗约为50瓦。 低

TO-220的热阻和低封装成本有助于其广泛应用

整个行业的接受度。

？ 先进的工艺技术

？ 超低导通电阻

？ 动态dv / dt额定值

？ 175°C工作温度

？ 快速切换

？ 完全雪崩评级

？无铅

描述

International Rectifier的先进HEXFET®功率MOSFET利用

先进的处理技术实现极低的导通电阻

每硅面积。 这个好处，加上快速的开关速度和

HEXFET功率MOSFET众所周知的坚固耐用的器件设计

为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备

用于各种各样的应用中。

TO-220封装广泛适用于所有商业工业

应用功耗约为50瓦。 低

TO-220的热阻和低封装成本有助于其广泛应用

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？ 先进的工艺技术

？ 超低导通电阻

？ 动态dv / dt额定值

？ 175°C工作温度

？ 快速切换

？ 完全雪崩评级

？无铅