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马先生 
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马先生
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ST意法 STF22NM60N 场效应MOS管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:16 A
Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:44 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:30 W
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:38 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:18 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:74 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:330 mg
STF22NM60N 场效应MOS管
特征
■100％雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用
切换应用
描述
这些设备使用第二个
新一代MDmesh™技术。 这个
革命性的功率MOSFET关联一个新的
垂直结构到公司的带钢布局
产生世界上的导通电阻之一
门收费。 因此它是适合的
要求高效率转换器。
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:16 A
Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:44 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
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