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马先生 
电话：15817467967
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马先生
电话：13302940566
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ST意法 STF10NM60N 场效应晶体管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:10 A
Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:19 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:70 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:12 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:32 ns
典型接通延迟时间:10 ns
单位重量:330 mg
STF10NM60N 场效应晶体管
特征
•100％雪崩测试
•低输入电容和栅极电荷
•低门输入电阻
应用
•切换应用程序
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用第二代开发
MDmesh™技术。 这个革命的力量
MOSFET与垂直结构相关联
公司的带钢布局产生世界上的一个
的导通电阻和栅极电荷。 它是
因此适合要求的高端
效率转换器。
触发管：DB3
开关管：4148
ST意法 STF10NM60N 场效应晶体管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:10 A
Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:19 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:70 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:12 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:32 ns
典型接通延迟时间:10 ns
单位重量:330 mg
STF10NM60N 场效应晶体管
场效应晶体管 场效应晶体管
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