深圳市波光电子有限公司

ST意法  TIP122   达林顿晶体管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:达林顿晶体管

 配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极电压 VCEO:100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:100 V

直流电集电极电流:5 A

集电极截止电流:200 uA

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

工作温度:+ 150 C

系列:Darlingtons

高度:9.15 mm

 长度:10.4 mm

 宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics 

直流集电极/Base Gain hfe Min:1000 

产品类型:Darlington Transistors 

工厂包装数量:1000 

子类别:Transistors 

单位重量:6 g

TIP122   达林顿晶体管

特征

■低集电极发射极饱和电压

■互补NPN - PNP晶体管

应用

■通用线性和开关

描述

这些设备是在平面上制造的

技术与“基地岛”布局和

单片达林顿配置。 所结果的

晶体管显示出超高的增益

性能加上非常低的饱和度

电压。

专营原装：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等

达林顿晶体管   达林顿晶体管

直流集电极/Base Gain hfe Min:1000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:6 g

TIP122   达林顿晶体管