相关证件: 
会员类型:
会员年限:7年
ST意法 STP10NK60Z 晶体MOS管
STP10NK60Z MOS管
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)70nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)()@ Vgs10V
Vgs(值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1370pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)() @ Vds25V
FET 功能 -
功率耗散(值)115W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)750 毫欧 @ 4.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
STP10NK60Z 晶体管
晶体MOS管
应用
■切换应用程序
描述
这些器件采用N沟道齐纳保护
功率MOSFET开发使用
意法半导体的SuperMESH™技术,
通过优化意法半导体的成功实现
基于条带的PowerMESH™布局。 在
除了显着减少电阻,
此设备旨在确保a
别的dv / dt能力
苛刻的应用。
专营原装:三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等
Vgs(值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)1370pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)() @ Vds25V
FET 功能 -
功率耗散(值)115W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)750 毫欧 @ 4.5A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
STP10NK60Z 晶体管
晶体MOS管 场效应管 晶体MOS管 场效应管