深圳市波光电子有限公司

ST意法  STF19NM50N  晶体管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:500 V

Id-连续漏极电流:14 A

Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:34 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:30 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh 

晶体管类型:1 N-Channel

 商标:STMicroelectronics

 下降时间:17 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:16 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:61 ns 

典型接通延迟时间:12 ns

 单位重量:330 mg

特征

•100％雪崩测试

•低输入电容和栅极电荷

•低门输入电阻

应用

•切换应用程序

描述

这些器件是N沟道功率MOSFET

使用第二代开发

MDmesh™技术。 这个革命的力量

MOSFET与垂直结构相关联

公司的带钢布局产生世界上的一个

的导通电阻和栅极电荷。 它是

因此适合要求的高端

效率转换器。

三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列