深圳市波光电子有限公司

ST意法  STP80NF70  晶体管MOS管

标准包装  50

包装  管件

零件状态 不適用於新設計

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列STripFET™ II

规格

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）68V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）98A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）75nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs10V

Vgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）2550pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds25V

FET 功能 -

功率耗散（值）190W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）9.8 毫欧 @ 40A，10V

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

 STP80NF70  晶体管MOS管

特征

■卓越的dv / dt功能

■100％雪崩测试

应用

■切换应用程序

描述

STP80NF70是一款N沟道功率MOSFET

意法半导体

STripFET™工艺。 它具体是

旨在限度地减少输入电容和门

收费。 该设备因此适用于

先进的高效率开关应用。