深圳市波光电子有限公司

ST意法 STP3N150 场效应管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through

 Hole封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1500 V

Id-连续漏极电流:2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:9 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

工作温度:- 50 C

工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:140 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.15 mm

 长度:10.4 mm 

系列:N-channel MDmesh 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics 

下降时间:61 ns 

上升时间:47 ns 

工厂包装数量:1000

 典型关闭延迟时间:45 ns

 典型接通延迟时间:24 ns 

单位重量:330 mg

  STP3N150 场效应管

特征

•100％雪崩测试

•固有电容和Qg化

•高速切换

•完全隔离的TO-3PF塑料封装，

爬电距离路径为5.4 mm（典型值）

应用

•切换应用程序

描述

这些功率MOSFET使用的是设计

公司的合并带钢布局为基础的MESH

OVERLAY™过程。 结果是一个产品

匹配或提高性能

与其他标准零件相当

制造商。

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